含能自毁芯片的制备方法、含能自毁芯片及应用

本申请涉及技术领域，具体而言，涉及一种含能自毁芯片的制备方法、含能自毁芯片及应用。所述含能自毁芯片的制备方法，包括：提供基座和芯片本体，所述基座具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成沉槽；在所述沉槽内形成第一含能材料层；在所述第二表面形成半导体桥，所述半导体桥的加热部分与所述第一沉孔位置相对，所述半导体桥用于通电释放热量以引爆所述第一含能材料层；将所述第一表面与所述芯片本体贴合固定。根据上述方案制备的含能自毁芯片，可以改善现有含能自毁器件板级集成设计困难、激发引爆响应时间长和能耗高的问题。