一种LED芯片表面粗化工艺

本发明涉及一种LED芯片表面粗化工艺，上述LED芯片表面粗化工艺步骤简练精妙、容易操控，每个步骤都认真细微，先制备出GaN外延片，在对GaN外延片进行粗化处理，具体的，先将光刻胶涂覆在GaN外延片上需要保留的部分烘干后形成掩膜层，再对GaN外延片进行ICP刻蚀处理。再将保护液涂覆在GaN外延片上需要保留的部分，烘干后形成保护层。随后，将涂覆有保护层的GaN外延片放置到刻蚀液中进行湿法刻蚀。将外延片加热至250摄氏度，后将加热到熔融状态的KOH均匀涂抹在GaN外延片表面进行干法蚀刻。GaN外延片依次经过ICP刻蚀、湿法刻蚀和干法刻蚀后在其表面形成了稳定的且致密的表面微结构，从而提高了LED芯片的光提取效率。