一种片上集成三维磁光阱装置

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一种片上集成三维磁光阱装置
申请号:CN202411864426
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119694625B
公开日期:2025-12-09
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种片上集成三维磁光阱装置,涉及磁光阱装置集成领域,该装置包括光束形成结构、两个层次的超表面芯片、气室和线圈构件,光束形成结构包括激光器、分束器和光栅耦合器,分束器用于对激光器的出射光进行分束操作,并将分束器形成的多个输出光入射到光栅耦合器,光栅耦合器的出射光分别导入至两个层次的超表面芯片上,两个层次的超表面芯片对光栅耦合器的出射光进行偏振态调控,最终得到的出射光汇聚或相交于气室的中心位置,用于冷却和囚禁原子、分子或离子,本申请通过超表面芯片代替传统的镜片结构,缩小了磁光阱装置的体积,提高了磁光阱装置的集成度。
技术关键词
出射光 磁光阱装置 光栅耦合器 超表面结构 分束器 光栅耦合结构 线圈构件 光束 芯片 气室 声光调制器 偏振控制器 激光器 控制构件 频率 偏振态调控 三功能
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