一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质

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一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质
申请号:CN202411864909
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119812027B
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种剩余硅厚度的测量方法、系统、装置及存储介质,通过改变物镜与样品之间的距离,获取采样图像集,对采样图像集进行清晰度评价,基于清晰度评价值数据集,利用预设条件进行筛选得到对应清晰图像;最后根据清晰图像、清晰图像对应的物镜位置以及预设算法计算,可以快速得到高精度的剩余硅厚度测量结果。同时,利用自制的粗糙表面硅片及其成像对应的物镜位置,能够测量出光滑表面晶圆表面对应的物镜位置,实现测量光滑表面晶圆的剩余硅厚度,进一步提高了对晶圆的剩余硅厚度测量的精度。
技术关键词
物镜 图像 可移动导轨 硅片 准直透镜单元 测量方法 调平装置 成像透镜 分束器 孔径光阑 处理器 光源 算法 程序 晶圆 栅格 立柱 数据 可读存储介质
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