等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置

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等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置
申请号:CN202411873602
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119808479B
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光学领域,特别涉及一种等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真方法及装置。本发明首先通过等离子体覆盖平板的几何参数构建二维模型,并将对应的材料属性赋予至二维模型,得到物理模型,并将等离子体特征参量带入到物理模型的等离子体区,得到等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型,以用于模拟等离子体覆盖平板太赫兹波传输的状况,再利用等离子体覆盖平板太赫兹波传输特性的仿真模型进行仿真模拟计算,得到经过等离子体覆盖平板的太赫兹波电场分布,再通过入射端口和出射端口的太赫兹波电场间接确定经过等离子体覆盖平板的太赫兹波传输特性,与现有技术相比,本发明能够帮助研究人员快速了解经过等离子体覆盖平板后太赫兹波的传输特性。
技术关键词
特征参量 平板 电场 仿真模型 端口 仿真方法 数据处理模块 低温等离子体 物理 仿真装置 方程 参数 计算机 真空 可读存储介质 存储器 处理器 周期性 入口 电子
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