摘要
本发明提供一种用于大功率TVS的封装结构,包括:基板材料;堆叠的各层芯片及其pad区;在各芯片层两侧边缘的pad区内存在的使用TVS技术制造的通孔区;在底层芯片与基板间,以及各层芯片通孔层间,存在的用于形成电气连接的层间焊球;在基板与第一芯片层间、各芯片层间存在的粘连各层芯片且提供支撑的胶体区;以及在基板与第一层焊球的接触处存在的用于形成封装后电极的电极区。本发明通过引入TSV技术,避免了传统引线键合封装模式带来的封装面积增大、器件可靠度下降等问题,进一步提升了在相同的封装面积下堆叠更多层芯片的潜力。
技术关键词
芯片
焊球
阳极
封装结构
大功率
封装器件
阴极电极
TVS器件
通孔形貌
电气
基板材料
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