基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置

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基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置
申请号:CN202411888796
申请日期:2024-12-20
公开号:CN119966519A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置。所述基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置包括主处理结构、发射结构、接收结构和硅基GaN光电子集成芯片;主处理结构包括编码电路、调制电路、解码电路和解调电路;发射结构连接主处理结构;硅基GaN光电子集成芯片连接发射结构和接收结构,包括光发射器、光接收器和第一光波导;接收结构连接主处理结构和硅基GaN光电子集成芯片。本发明扩展了光通信技术的应用领域,片上集成的方式也有助于改善光通信的质量,从而实现对光通信装置性能的改善。
技术关键词
光电子集成芯片 光通信装置 光波导 光接收器 光发射器 编码电路 解调电路 解码电路 调制电路 发光二极管 光信号 切换开关 跨阻放大器 调制器 运算放大器 基底 驱动信号 电信号 光通信技术 隔离沟槽
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