半桥功率模块及其封装方法

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半桥功率模块及其封装方法
申请号:CN202411893063
申请日期:2024-12-20
公开号:CN119852273A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种半桥功率模块及其封装方法,该半桥功率模块包括:第一和二基板、第一和二芯片、框架及封装层,其中,第一芯片焊接于第一基板的第一区,第一至三极分别位于第一芯片上、下表面,第三极与第一区电连接;框架至少包括第一至五引脚,框架焊接于第一芯片和基板上方,第一至三引脚分别与第一区、第一和二极电连接;第二芯片和基板焊接于框架上方,第四和五及六极位于第二芯片上、下表面,第六极与第二引脚电连接;第二基板与第二芯片及框架焊接,第四和五极分别与第二和三区电连接,第二和三区分别与第四和五引脚电连接;封装层显露各引脚及第一和二基板。本发明将第一芯片、框架及第二芯片依次堆叠封装,缩小了模块的尺寸并提升其性能。
技术关键词
半桥功率模块 封装方法 二极管芯片 框架 陶瓷基板 金属化 芯片焊接 阴极 阳极 绝缘 尺寸
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