对半导体样本图像的串扰校正

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推荐专利
对半导体样本图像的串扰校正
申请号:CN202411903381
申请日期:2024-12-23
公开号:CN120198333A
公开日期:2025-06-24
类型:发明专利
摘要
提供了一种用于对半导体样本进行检查的系统和方法。半导体样本至少包括表面层和下层。所述方法包括获得由电子束工具获取的样本的二次电子(SE)图像和背散射电子(BSE)图像,其中BSE图像具有由表面层上的一个或多个结构特征引起的一个或多个图像伪影;处理SE图像以生成特征掩模,所述特征掩模包括表示一个或多个结构特征的片段集;以及基于BSE图像和特征掩模生成经校正的BSE图像,其中经校正的BSE图像相对于BSE图像中的一个或多个图像伪影具有经抑制的图像伪影。
技术关键词
计算机化方法 计算机化系统 校正掩模 因子 伪影 非瞬态计算机可读存储介质 电路系统 样本 生成特征 半导体 背散射 像素 图像分割 电子束 轮廓 感兴趣
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