一种电池保护芯片的充电驱动半导体结构

本发明实施例提供了一种电池保护芯片的充电驱动半导体结构，涉及电池保护技术领域，包括：过充保护驱动模块、第一PMOS管，过充保护驱动模块包括第一NMOS管，第一NMOS管的源极用于连接电池保护芯片的充电负电压接入端，漏极用于连接电池保护芯片的充电控制端并引出第一接线端，栅极引出第二接线端；第一PMOS管用于在电池为零伏状态且接入有充电器时导通，其源极用于连接电池保护芯片的电源端，漏极具有第三接线端，用于与第一接线端或第二接线端连接。本发明可以根据不同厂家适应不同电池的需求，高效、快速、大批量地提供支持零伏状态下充电功能或禁止零伏状态下充电功能的芯片。