半导体结构的制备方法及半导体结构

本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底上形成外延层；形成初始介质层，初始介质层内具有贯穿至外延层顶面的第一连接槽；形成第一连接层及位于第一连接层内的第一隔离槽，第一连接层覆盖初始介质层的部分顶面并填充第一连接槽；去除部分初始介质层以形成第一介质层，并形成第二介质层及贯穿第一介质层及第二介质层的目标接触孔，目标接触孔的正投影位于第一隔离槽内，第二介质层内还具有暴露出第一连接层部分顶面的第二连接槽；形成第二连接层及第二隔离槽，第二连接层覆盖第二介质层的部分顶面并填充第二连接槽，第二隔离槽至少位于第一连接槽及第二连接槽之间。上述方法中元胞布置灵活，提升芯片效率。