基于混合键合的背面供电芯片结构的制备方法及芯片结构

本申请属于半导体制造封装技术领域，具体公开了一种基于混合键合的背面供电芯片结构的制备方法及芯片结构，制备方法包括：制备第一半导体结构的第一部分：在第一晶圆上依次至少制备埋入式电源轨、器件层以及信号互连层；制备第一半导体结构的第二部分：在第一晶圆中制备贯穿的第一组硅通孔TSV，且在第一组TSV中填充导电金属柱；制备第二半导体结构；第二半导体结构自下而上至少包括：第二晶圆和供电网络层；使用混合键合工艺将第一半导体结构和第二半导体结构进行键合。通过本申请，提高背面供电芯片的工艺灵活性、制备效率且有效降低成本。