一种结合工艺参数的半导体设备电磁兼容建模方法及系统

本发明涉及半导体设备技术领域，更具体的说，涉及一种结合工艺参数的半导体设备电磁兼容建模方法及系统。本方法包括：采集半导体设备的关键工艺参数，并进行预处理；构建工艺神经网络模型，所述工艺神经网络模块，用于基于关键工艺参数预测输出半导体设备的电磁干扰特性数据；建立有限元仿真模型，所述有限元仿真模型，以工艺神经网络模型输出的电磁干扰特性数据作为边界条件，用于仿真半导体设备的电磁场分布；结合工艺神经网络模型与有限元仿真模型，分析不同关键工艺参数下半导体设备的电磁场动态分布，评估电磁干扰影响。本发明建立工艺参数与电磁干扰特性之间的动态关联，实现对不同工艺条件下半导体设备电磁特性的精准预测。