一种半导体器件、一种半导体器件的制备方法和一种芯片

本发明实施例提供了一种半导体器件、一种半导体器件的制备方法和一种芯片，该半导体器件包括：N+型衬底，具有高掺杂浓度，从而具有较低的电阻率，能够提供低电阻的电流路径；N型外延层，包括N型外延层本体和第一沟槽，N型外延层本体设于N+型衬底一侧的表面，第一沟槽设于N型外延层本体中，可以降低导通电阻，同时保持较高的电学性能，提高了半导体器件的效率；第一P+区，设于N型外延层本体的第一沟槽中，用于提供空穴；第二沟槽，形成于第一P+区，用于填充欧姆接触金属，从而增大欧姆金属接触面积，提高半导体器件的抗浪涌能力，减小反向漏电；第二P+区，设于第二沟槽下方，用于增加半导体器件的抗浪涌电流能力。