带有双侧半包裹金属电极的半导体桥换能芯片及制备方法

本发明公开了带有双侧半包裹金属电极的半导体桥换能芯片及制备方法，属于电火工品技术领域，包括陶瓷基底层，陶瓷基底层的一侧设置有绝缘层，绝缘层远离陶瓷基底层的一侧设置有多晶硅功能层，还包括位于芯片双侧的半包裹金属电极，金属电极的一内侧与多晶硅功能层远离绝缘层的一侧相贴合，金属电极的另一内侧与陶瓷基底层远离绝缘层的一侧相贴合。本发明所提出的半导体桥换能芯片可通过芯片背面双侧的金属电极实现和印刷电路板的直接焊接，省略了机械性能差、成本高、工艺实施难度较大的传统金丝键合焊接步骤。