一种光刻工艺变更后匹配AEI的方法

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一种光刻工艺变更后匹配AEI的方法
申请号:CN202411919892
申请日期:2024-12-24
公开号:CN119439650A
公开日期:2025-02-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种光刻工艺变更后匹配AEI的方法,包括:获取光刻工艺变更前的ADI与AEI以及光刻工艺变更后的ADI与AEI;将光刻工艺变更前后的ADI以及AEI相匹配获得光刻工艺变更后的ADI差值;采用插值法得到关于ADI差值与原始线宽以及原始间距之间关系的SSA表格。本发明通过获取光刻变更前后的ADI与AEI获得关于光刻工艺变更导致的ADI差值与原始线宽以及原始间距之间关系的SSA表格,根据该SSA表格可以得到任意原始线宽与原始间距所对应的ADI差值,从而得到与AEI相匹配的光刻工艺变更后的ADI,并无需再重建OPC模型,简化了修正流程,使得修正耗时降低。
技术关键词
测试光罩 表格 光刻工艺热点 间距 偏差 插值法 OPC模型 关系 阶段 定义 尺寸 数据
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