一种抗辐射封装结构及其制造方法

本发明涉及一种抗辐射封装结构及其制造方法。该结构包括：第一重布线层；防护层，布置在所述第一重布线层之下；金属柱，布置在所述第一重布线层之上；处理器芯片模块，布置在所述第一重布线层之上；防护盖，遮盖所述处理器芯片模块；塑封层，塑封并包覆所述金属柱、所述处理器芯片模块以及所述防护盖；第二重布线层，布置在所述塑封层之上；探测器芯片模块，布置在所述第二重布线层之上；焊球。本发明提供的抗辐射封装结构，在处理器芯片模块之上设置防护盖，在处理器芯片模块之下设置防护层，对处理器芯片模块形成立体防护，可以有效地降低外界对处理器芯片模块的辐射，提高了封装结构的使用寿命。