一种高密度扇出型封装方法及产品

本发明公开了一种高密度扇出型封装方法及产品，方法包括以下步骤：在硅载片表面制备介电质层；在介电质层表面制备第一有机钝化层并形成开口；在第一有机钝化层上制备第一金属线路层；在第一有机钝化层和第一金属线路层表面制备重布线层；在重布线层表面连接芯片；填充芯片与重布线层之间的缝隙；塑封；对硅载片进行研磨减薄；去除剩余的硅载片残留，暴漏出介电质层；去除介电质层，露出第一有机钝化层及金属互联结构；对塑封面进行研磨减薄，暴漏出芯片背面；将封装体切割成单颗并贴装到基板表面，植球。本发明取消临时键合与拆键合工艺，不再使用相关设备与材料，显著降低了封装成本，简化了工艺流程。