一种ZnS光学薄膜的镀膜方法及其在制备红外探测器芯片中的应用

本发明涉及仪器仪表工程领域，具体是一种ZnS光学薄膜的镀膜方法及其在制备红外探测器芯片中的应用。本发明提供的ZnS光学薄膜的镀膜方法，通过控制650 V~700 V的屏极电压以高能量离子源对基片进行清洗后，再通过控制700 V~900 V的屏极电压以高离子源能量辅助进行阻蒸蒸发镀膜，能够实现110℃温度条件下在晶圆上沉积ZnS光学薄膜，且具有很强的耐高温性质和抗划拉性质，简化了膜层结构，减少了光学薄膜投入的成本，适用于110℃附近在晶圆上镀制ZnS光学薄膜，且后续ZnS光学薄膜需要经历高温环境的工艺流程。