HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法
申请号：CN202411929141
申请日期：2024-12-25
公开号：CN119805795B
公开日期：2025-10-10
类型：发明专利
摘要
本发明公开了一种HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结相位调制器、制备方法及相位调制方法，该HfAlOx/石墨烯/HfAlOx异质结，采用HfAlOx作为介质材料，与石墨烯形成良好的异质结结构。HfAlOx具有较高的介电常数和良好的稳定性，能够有效地调控石墨烯的电学性质，同时避免了石墨烯与金属直接接触时的费米能级钉扎效应，提高了相位调制的效率和灵活性。整个结构长度仅800nm，远小于中红外波段的自由空间波长，实现了亚波长操作。这种小尺寸结构有利于器件的高度集成化和小型化，可应用于高密度光集成芯片、微型光传感器等领域，有助于提高系统的集成度和便携性。
技术关键词
物理气相沉积方法
金属电极层
相位调制器
SOI基底
异质结
相位调制方法
生长石墨
电子束光刻技术
聚甲基丙烯酸甲酯
介质
控制电子束电流
电子束光刻设备
石墨烯薄膜
原子层沉积技术
电子束光刻胶
光集成芯片
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增益误差
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相位调制器
微环谐振器
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电光相位调制器
