半导体器件及其制作方法、芯片及电子设备

本申请公开了半导体器件、半导体器件的制作方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底、外延层、沟道层、介质层、栅电极以及场板。所述衬底包括第一表面，所述衬底中包含有氧化镓。所述外延层设置于所述第一表面，所述外延层中包含有氧化镓。所述沟道层设置于所述外延层背离所述衬底的一侧，所述沟道层中包含有氧化镓。所述介质层设置于所述沟道层的背离所述衬底的一侧，所述介质层背离所述衬底的一侧设置有所述栅电极。所述场板包括多层子场板，多层所述子场板依次堆叠于所述栅电极背离所述衬底的一侧。本申请的半导体器件的耐压性强，能够避免半导体器件在使用过程中过早击穿。