一种集成电路键合工艺

本发明公开了一种集成电路键合工艺，属于铜铜键合技术领域。本发明首先在芯片及载板上，电镀出铜柱，之后采用激光焊接来实现铜柱之间的铜‑铜键合，以此让铜柱与铜柱成功接合。激光焊接具有快速、局部精确加热的优势，快速加热能降低表面氧化风险，缩短工艺周期，且激光局部加热不像区域加热那样需额外措施应对热膨胀。本发明运用红外激光照射基板表面，因其可穿透硅，能量能转化为键合局部热源，精准控制局部加热实现铜柱加热键合，同时对基板施压，使铜柱熔融冷却后紧密连接，减少材料差异导致的热失配，降低材料内部应力与形变。激光焊接仅需较小压力即可完成铜与铜焊接，能实现单晶铜焊接和多晶铜焊接，拓展了焊接应用范围与灵活性。