一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法

本申请公开了一种光学临近效应修正方法、半导体结构及制备方法，将初始掩膜图形的边缘分割成多个片段，并获取各片段各自对应的初始切割线；确定初始切割线的当前位置对应的初始边缘放置误差；根据第一初始边缘放置误差调整各片段的位置，得到中间掩膜图形；在中间掩膜图形的线端存在第二边缘放置误差的情况下，基于切割线移动比率调整初始切割线在片段上的位置，至仿真晶圆图形和参考掩膜图形匹配，得到目标掩膜图形。本申请根据切割线移动比率移动切割线以逐步调整中间掩膜图形的线端，降低了线端的边缘放置误差，也提高了线端的曲率和包容度，提升了修正后目标掩膜图形的精准性和质量。