一种半导体高深宽比微尺寸结构深度测量方法及系统

本发明公开一种半导体高深宽比微尺寸结构深度测量方法及系统，涉及半导体技术领域。所述方法包括：对测量系统的视场区域进行划分，确定待测区域和辅助区域的位置关系；基于待测区域和辅助区域的位置关系，通过监测扫描过程中的光强波动并自动调整步长来提高效率。同时，发明方法中引入状态值进行步长调整，实现了多个局部相干信号的分割和匹配，从而保证了峰值位置准确性，并在采集完成后记录扫描步长调整情况，以及识别调整状态值连续段的局部相干峰，利用改进重心算法计算局部相干峰的峰值位置及对应的深度值。本发明能够在不降低精度的前提下，可将有效降低图像采集量，同时消除干涉信号的多峰歧义影响。