LED芯片切割深度异常监控方法及装置、介质

本发明涉及LED芯片技术领域，具体公开一种LED芯片切割深度异常监控方法及装置、介质，方法包括：提供晶圆，晶圆包括衬底及设于衬底上的外延层；采用半切工艺进行第一次切割，以形成若干晶粒以及切割槽，晶粒呈阵列排布，切割槽设于相邻的晶粒之间；对各晶粒进行电性测试，获取测试数据，测试数据至少包括反向漏电流数据；判断晶圆是否存在切割深度异常，若存在N个相邻的晶粒所对应的反向漏电流数据均大于预设反向漏电流阈值，则判定晶圆存在切割深度异常，否则，判定晶圆切割深度正常，N≥3。有效卡控数据异常片源流出，提高后续制得的产品良率及质量，避免因数据异常片源进入后续生产所造成的资源浪费。同时，能够避免现有技术中阈值设置过高影响生产效率的问题，提高生产效率。