一种基于TaOx的多功能忆阻器及制备方法

本发明属于微纳米电子器件相关领域，并公开了一种基于TaOx的多功能忆阻器，其包括由下而上依次叠设的衬底、第一电极层、功能层、阻挡层以及第二电极层，其中该第一、第二电极层分别采用惰性金属材料、活性金属材料制成；该功能层采用TaOx材料制成且x小于2.5，以存在氧空位形成陷阱能级；该阻挡层采用惰性金属材料制成，用于阻挡第二电极层的金属原子进入功能层。当向第二电极层施加不同电操作时，整个器件表现出不同的电学特征。本发明还公开了相应的制作方法。通过本发明，能够分别模拟生物神经网络中的树突、胞体和突触的功能，为现有人工神经网络提供了一种能够承担多个功能的多功能忆阻器，同时降低硬件实现过程中的工艺复杂度并提高集成度。