一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件

本发明涉及发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法、半导体发光元件。LED芯片包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层包括绿光发光区、蓝光发光区和增补发光区；增补肼层In浓度≥蓝光肼层In浓度，增补肼层厚度＞蓝光肼层厚度。通过在蓝光发光区之后生长增补发光区，增补发光区的阱层较厚，其能障较低，可以拉动整个发光区的能带，改变载流子在整个量子阱中的分布，使载流子分布更靠近第二半导体层侧，且增补区因其有较厚的肼层，可以缓冲与后面第二半导体层产生的失配应力，减少后续生长对发光区的破坏，从而提升整个器件的亮度；最后，增补发光发出的波长与蓝光发光区接近，可增强蓝光发光区的强度。