一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图形化复合衬底及其制备方法、LED芯片。制备方法包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上形成若干间隔排布的光刻胶凸起；对蓝宝石衬底进行刻蚀，使蓝宝石衬底在相邻的光刻胶凸起之间形成凹槽；在蓝宝石衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上形成若干间隔排布的光刻胶凸柱，且光刻胶凸柱与凹槽周期性交错排布；对蓝宝石衬底进行刻蚀，使凹槽外露，并使二氧化硅层在蓝宝石衬底表面形成凸起结构，以形成表面呈凸起结构与凹槽周期性交错排布的图形化复合衬底，且相邻凸起结构与凹槽之间设有间隔，制得的图形化复合衬底清晰度及精度更高，并且表面呈凸起结构与凹槽周期性间隔、交错排布，能够更有效地减少外延材料的位错和缺陷，提高外延材料的质量，提升发光效率。