一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法

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一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法
申请号:CN202411953182
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119954200B
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
一种Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的制备方法、硫化氢气体传感器及其制备方法,属于半导体气体敏感型传感器技术领域。为了解决SnS2半导体气体传感器灵敏度低,电导率低和响应速率慢的技术问题,本发明气敏材料的制备:采用水热法合成SnS2敏感材料;采用二次水热法在SnS2纳米花状结构表面生长球形SnO2纳米颗粒,形成表面颗粒分布的二维花状结构材料;使用醋酸钌沉浸形式实现贵金属Ru对SnS2/SnO2材料的修饰,通过高温分解形成金属杂化修饰。本发明显著提高了气敏材料对H2S气体的灵敏度和响应恢复速率,特别是对H2S实现了超快响应。本发明制备的基于Ru修饰的SnS2/SnO2花状复合材料的气体传感器在H2S有毒气体监测方面具有广泛前景。
技术关键词
硫化氢气体传感器 气体传感器芯片 复合材料 传感器专用底座 加热电极 SnO2纳米颗粒 半导体气体传感器 高压反应釜 纳米花状结构 有毒气体监测 加热膜粘贴 醋酸 基底 聚乙烯吡咯烷酮 悬浊液 粉末
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