一种LED芯片及其制作方法

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片通过设置外延叠层单元，外延叠层单元至少包括：从下至上依次层叠于衬底上的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；其中,在第二型半导体层上表面的边缘区域设有凹凸的微结构，微结构可以做为绝缘保护层形成过程的成核点，以提高绝缘保护层的致密性及粘附性，有利于缓解LED芯片上表面边缘区域的应力集中以提升LED芯片的防水汽能力，进而提高LED芯片的可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。