一种硼扩散制造工艺方法

本发明公开了一种硼扩散制造工艺方法，在硼扩散窗口形成后，先在硅片表面预生长或淀积一层牺牲氧化硅绝缘介质膜，再通过高温将硼淀积到硅片表面，硼淀积时在硅片表面进一步形成一层含有高浓度硼的氧化硅绝缘介质膜，之后用湿法腐蚀去掉这层高浓度的氧化硅绝缘介质膜，和部分或者全部去除前面预生长或者淀积的牺牲氧化硅绝缘介质膜，然后将淀积在硅表面的硼高温推进到所需要的结深位置，并形成所需要的杂质分布。本发明可以防止在高温推进后形成难刻氧化硅，也可抑制高浓度硼的析出，可广泛应用于肖特基二极管、快恢复二极管、整流二极管等功率半导体芯片和光伏二极管制造中。