一种封装组件翘曲仿真的DOE试验方法

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一种封装组件翘曲仿真的DOE试验方法
申请号:CN202411957586
申请日期:2024-12-27
公开号:CN119783378A
公开日期:2025-04-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种封装组件翘曲仿真的DOE试验方法,包括:建立基于器件实际封装结构的简化等效三维仿真模型;设定模型边界条件运行仿真,以建立待优化参数组;根据待优化参数组,建立DOE试验;根据DOE试验结果初步确定各影响因素对封装组件翘曲度的影响,再根据不同影响因素对翘曲效果评价参数的数值变化率以及实际生产工艺的需求,建立细化的待优化参数组,并根据DOE试验建立基于器件实际封装结构的精确三维仿真模型;设定精确三维仿真模型的边界条件,运行仿真并输出精确三维仿真模型的计算结果,根据精确三维仿真模型得到的翘曲效果评价参数的数值变化率以及实际生产工艺需求再次确定各参数的最优解,并输出最终的最优参数结果。
技术关键词
三维仿真模型 封装组件 封装结构 仿真环境 三维模型 工作环境温度 材料性能参数 网格 数值 电子产品 固定点 基板 应力 散热盖 实体 格式 节点 速率 尺寸
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