提高功率模块寿命的封装方法、装置、设备及存储介质

本发明属于芯片封装技术领域，公开了一种提高功率模块寿命的封装方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：测量目标功率模块中各芯片的预设性能参数值；确定各芯片的预设性能参数值所属的取值范围，将各芯片划分在所属的取值范围对应的等级中，所述等级的数量与所述目标功率模块的相数相等；确定所述预设性能参数与发热量之间的动态关联规律；根据所述动态关联规律，对各等级芯片对应的发热量进行排序，形成对各等级芯片的目标排序；将各等级芯片按照所述目标排序依次焊接在所述目标功率模块上按照预设的冷却液流通方向排列的各相上。本发明解决了现有技术中由于功率模块工作时温度过高导致功率模块性能失效，降低了功率模块使用寿命的问题。