一种半导体薄膜外延生长的优化方法

本发明属于半导制备技术领域，具体为一种半导体薄膜外延生长的优化方法。本发明方法包括：使用有限元法对薄膜化学气相沉积过程进行仿真，得到外延层分布结果；将仿真结果与实验结果进行对比，验证仿真结果的准确性；使用支持向量机建立工艺参数与目标函数之间的关系；使用多目标优化算法对外延生长过程进行优化；其中，工艺参数为生长温度，腔室压强和反应气体总流量；目标函数为外延层生长速率和外延层的变异系数；变异系数等于外延层厚度的标准差与厚度的平均值的比值；多目标优化算法包括多目标粒子群算法和非支配排序遗传算法。本发明可减少实验次数、提高生长效率、降低生产成本。