一种极低噪声盖革雪崩单光子探测器及其制备方法

本发明公开了一种极低噪声盖革雪崩单光子探测器，采用分子束外延工艺，在半绝缘磷化铟衬底(1)上，依次外延磷化铟缓冲层(2)、N+型磷化铟接触层(3)、铟铝砷过渡层(4)、铟铝砷锑倍增层(5)、P+型铟铝砷锑电荷层(6)、铟镓砷保护层(7)、铟镓砷磷吸收层(8)、铟镓砷顶层(9)，形成铟镓砷磷/铟铝砷锑异质结材料；采用原位选区P型掺杂工艺，在铟镓砷顶层(9)中形成P+型掺杂区(10)，刻蚀出台阶型沟槽，在表面沉积钝化膜(11)，制备出与铟镓砷顶层(9)相连的P电极(12)、与N+型磷化铟接触层(3)相连的N电极(13)，并在进光孔内制备增透膜(14)，形成具有平面‑台面复合、PN电极共面的盖革雪崩芯片结构。