一种温度自补偿的小量程MEMS传感器及其制备方法

本发明公开了一种温度自补偿的小量程MEMS传感器及其制备方法，传感器包括封装外壳和压敏芯片，压敏芯片由上至下包括第一基底、第二基底、第三基底、第四基底、第五基底以及第六基底；第一基底为钝化保护层，第二基底为金属层，第三基底包括半岛‑弧边梁结构及压阻器；第四基底包括感压膜结构，第五基底包括固定结构，第六基底包括玻璃基座；金属层布设有金属互联引线，压阻器设在半岛‑弧边梁结构中；金属互联引线将压阻器的欧姆接触区电学导通构成惠斯通电桥形式压阻电路。本发明实现了传感器的超量程保护功能，解决现有小量程MEMS压力传感器灵敏度和线性度不可兼得的现状，实现了温度漂移的自补偿。