一种离体微电极阵列芯片及其制备方法

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一种离体微电极阵列芯片及其制备方法
申请号:CN202411964632
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119750491A
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种离体微电极阵列芯片及其制备方法,该制备方法包括清洗、吹干绝缘基底;采用3D打印技术在所述绝缘基底表面打印出微电极阵列;在微电极阵列上形成绝缘层,然后通过光刻和等离子刻蚀刻蚀绝缘层,暴露出微电极;通过电化学方法在微电极表面修饰纳米材料。该制备方法能够高效,成本较低的制备离体微电极阵列芯片。
技术关键词
微电极阵列芯片 表面修饰纳米材料 导电薄膜材料 导电聚合物 电化学方法 基底 绝缘材料 石英玻璃 光刻 聚吡咯 碳纳米管 氮化钛 硬质 二氧化硅 氮化硅
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