一种基于电极超结构的硅波导石墨烯光电探测器芯片及其制备方法

本发明公开了一种基于电极超结构的硅波导石墨烯光电探测器芯片及其制备方法，包括：垂直耦合光栅，位于衬底上方；硅波导，位于衬底上方，并连接到所述垂直耦合光栅；石墨烯薄膜，位于所述硅波导的上方；漏电极和源电极，覆盖在所述石墨烯薄膜的上方，并分别位于所述硅波导的两侧；将调制光信号输入所述垂直耦合光栅，后通过所述硅波导输入所述石墨烯薄膜进行光电转换，得到微波信号并通过所述漏电极输出，所述源电极接地；所述漏电极和所述源电极上包含电极超结构，具体为所述漏电极和源电极上相对设置的对称锯齿状凸起阵列。本发明增强了器件单位长度的光响应性能，减小了波导型探测器尺寸，提高了模块集成度。