存储器内建自测试电路生成方法、装置和电子设备

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存储器内建自测试电路生成方法、装置和电子设备
申请号:CN202411966830
申请日期:2024-12-30
公开号:CN120089181A
公开日期:2025-06-03
类型:发明专利
摘要
本公开涉及电路技术领域,尤其涉及一种存储器内建自测试电路生成方法、装置和电子设备。该方法包括:获取文本格式为Excel的参数配置文件;其中,参数配置文件包括静态随机存取存储器的第一配置信息、联合测试行为组织的第二配置信息和用于检测存储器中故障的算法;计算参数配置文件中每个单元格中的参数与预先配置的每个理论算法的匹配度;基于匹配度,确定目标算法;其中,目标算法包括理论算法中的任一个;将目标算法的算法标识和参数配置文件,输入至采用SpinalHDL编程语言编写的电路生成程序,生成目标算法对应的存储器内建自测试电路。
技术关键词
生成方法 指定算法 参数 理论 生成程序 计算机执行指令 计算机程序产品 存储器 处理单元 电子设备 自定义算法 可读存储介质 存储计算机程序 组织 生成装置
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