一种采用分区曝光的负性PSPI图案制作方法

本发明属于半导体封装技术领域，具体为一种采用分区曝光的负性PSPI图案制作方法，包括步骤一：按照图纸将芯片贴在金属载板上重铸成芯片间距更大的晶圆；步骤二：在重构晶圆表面涂布均匀的负性PSPI；步骤三：在涂布了PSPI的重构晶圆表面对准芯片区域，进行小线宽图案曝光；步骤四：在涂布了PSPI的重构晶圆表面对准EMC区域，进行高能量的曝光以达到增强PSPI与EMC粘附力的要求；步骤五：将重构晶圆进行显影处理，使负性PSPI经过曝光的部分得以保留，从而获得所需图案；步骤六：将重构晶圆进行无氧、高温处理，使PSPI固化为性质稳定的PI，从而获得与设计图案一致的介电层，使用过程中，可以制作出接近负性PSPI极限线宽的图案，不影响封装单元内EMC区域PSPI与EMC的粘附力。