电平位移芯片及其电路

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电平位移芯片及其电路
申请号:CN202411971823
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119892059A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片技术领域,提供了一种电平位移芯片及其电路,其中,所述电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第八场效应管、第九场效应管以及第十场效应管。本发明中的电平位移芯片电路不仅能降低其动态功率耗损,还能提升其电平转换速率,以满足电平位移芯片的需求。
技术关键词
场效应管 栅极 芯片 电平位移电路 输入端 输出端 动态 速率 功率 尺寸
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