DRAM的刷新周期检测方法、装置、设备和计算机可读介质

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DRAM的刷新周期检测方法、装置、设备和计算机可读介质
申请号:CN202411972360
申请日期:2024-12-30
公开号:CN120048307A
公开日期:2025-05-27
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种DRAM的刷新周期检测方法、装置、设备、计算机可读介质和程序产品,该方法包括分配预设容量的缓冲区用于刷新周期检测;将测试数据遍历到缓冲区后,在初始刷新周期内持续读取数据;记录每次刷新周期以及检查读取的数据是否完整;响应于刷新周期与初始刷新周期的差值在预设阈值范围内,以及读取的数据完整,缩短所述初始刷新周期。该实施方式通过将上述刷新周期与初始刷新作差,判断差值是否在预设预制范围内,可以对实际的刷新周期进行检测,提高了该检测方法的可靠性。而判断读取的数据是完整的,则能够调整初始刷新周期继续进行检测,从而对设定匹配的刷新周期提供了依据。
技术关键词
人工智能芯片 机器学习模型 逻辑分析仪 处理器 样本 计算机程序产品 数据 分配单元 记录单元 存储装置 介质 定时器 电子设备 数值 周期
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