芯片结构和芯片与散热衬底的连接方法

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芯片结构和芯片与散热衬底的连接方法
申请号:CN202411974457
申请日期:2024-12-30
公开号:CN120674391A
公开日期:2025-09-19
类型:发明专利
摘要
本发明实施例提供了一种芯片结构和芯片与散热衬底的连接方法。该芯片结构包括:芯片和用于对所述芯片进行散热的散热衬底;所述芯片的上表面设置有第一金属层结构,所述散热衬底的下表面上设置有第二金属层结构,所述第一金属层结构与所述第二金属层结构相邻且层叠设置,所述芯片与所述散热衬底通过所述第一金属层结构与所述第二金属层结构的合金化反应连接在一起。通过本发明实施例,解决了相关技术中已有的链接方法无法在兼顾键合界面的低热阻和高键合强度的同时,还能保证芯片与散热衬底连接的可靠性的问题,达到提高芯片与散热衬底之间连接的可靠性的效果。
技术关键词
金属层结构 散热衬底 芯片结构 金属材料 金刚石热沉片 铝金属基复合材料 单晶金刚石 层叠 多晶金刚石 链接方法 基底 金属结构 氮化镓 压力 纳米级 碳化硅 热阻
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