一种应用于碳化硅MOS管的驱动控制系统

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一种应用于碳化硅MOS管的驱动控制系统
申请号:CN202411975799
申请日期:2024-12-30
公开号:CN119945113A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种应用于碳化硅MOS管的驱动控制系统,包括负压模块、驱动控制模块,负压模块用于将第一输入电压转化为负压输出;驱动控制模块用于将负压输出转换为负压驱动输出至碳化硅MOS管,驱动控制模块包括用于驱动增强单元,驱动增强单元用于放大负压驱动。本发明通过负压模块产生的负压输出,消除栅极电荷残留导致的误导通问题,避免因栅极意外导通而引发的电流失控、器件过热甚至炸机等严重后果,不仅提高了系统的可靠性,还延长碳化硅MOS管的使用寿命。同时,驱动控制模块中的驱动增强单元对驱动信号进行了波形优化和增强,使得碳化硅MOS管在开关过程中能够更快地响应驱动信号,减少了开关损耗,提高了开关效率。
技术关键词
驱动控制系统 驱动控制模块 变压器绕组 碳化硅MOS管 电阻 模拟单元 稳压二极管 滤波单元 电容 驱动芯片 阻尼单元 放电单元 稳压电路 驱动信号 电压 负极 输入端
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