多芯片半导体封装的电力覆盖结构

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多芯片半导体封装的电力覆盖结构
申请号:CN202411112699
申请日期:2024-08-14
公开号:CN119495676A
公开日期:2025-02-21
类型:发明专利
摘要
本申请标题为“多芯片半导体封装的电力覆盖结构”。一种多芯片半导体封装,该多芯片半导体封装包括:具有上表面和底表面的电介质互连层;部署在互连层的上表面上的至少一个公共源极焊盘;部署在互连层的上表面上的至少一个公共栅极焊盘;以及多个半导体器件,每个半导体器件包括粘合到互连层上的栅极焊盘和至少一个源极焊盘,其中多个半导体器件的源极焊盘电连接到至少一个公共源极焊盘,并且其中多个半导体器件的源极焊盘彼此并联电连接,并且其中多个半导体器件的栅极焊盘电连接到公共栅极焊盘,并且其中多个半导体器件的栅极焊盘彼此并联电连接。
技术关键词
半导体封装 栅极焊盘 源极焊盘 半导体器件 多芯片 电力电子电路 覆盖结构 薄膜电阻器 电介质材料 处理单元
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