半导体封装结构及其形成方法

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半导体封装结构及其形成方法
申请号:CN202510158929
申请日期:2025-02-12
公开号:CN119694893B
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
一种半导体封装结构及其形成方法,形成方法包括:提供玻璃基板,玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构,玻璃基板的中还具有位于上表面的凹槽;提供未内部布线的半导体芯片,包括半导体衬底和位于半导体衬底上表面的器件层,器件层中具有半导体器件;将未内部布线的半导体芯片贴装进凹槽中;在玻璃基板的上表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一互连结构和第二互连结构,第一互连结构与玻璃通孔互连结构的上端表面电连接,第二互连结构与半导体器件电连接,未内部布线的半导体芯片、第二互连结构和部分无机介质层构成第一半导体芯片;在玻璃基板下表面形成有机钝化层和位于有机钝化层中的第三互连结构。提高了封装结构的性能。
技术关键词
半导体封装结构 半导体芯片 通孔互连结构 玻璃基板 半导体器件 大马士革结构 半导体衬底 多层堆叠结构 导电连接结构 无源器件 半导体后段制程 布线 介质 绝缘栅双极晶体管 双极性晶体管 介电常数材料 场效应晶体管 碳氧化硅
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