一种抗辐照加固性能检测方法、装置、设备及存储介质

本申请提供了一种抗辐照加固性能检测方法、装置、设备及存储介质，该抗辐照加固性能检测方法包括：对芯片目标区域内的逻辑单元进行单粒子效应故障注入，得到单粒子效应测试模型；对单粒子效应测试模型进行仿真，得到第一仿真结果；根据第一仿真结果，评估芯片的抗辐照加固性能是否达到预设性能指标。通过本申请方案的实施，对预设芯片区域内的逻辑单元进行单粒子效应故障注入，以构建单粒子效应测试模型，通过对测试模型进行仿真，可根据仿真结果检测芯片的抗辐照加固性能是否达标，解决了在抗辐照加固芯片设计阶段难以检测抗辐照加固性能的问题，提高了抗辐照加固设计效率，降低后期性能测试成本，提高了芯片设计的可靠性。