SIP射频模块

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SIP射频模块
申请号:CN202421283743
申请日期:2024-06-06
公开号:CN222673040U
公开日期:2025-03-25
类型:实用新型专利
摘要
本实用新型提供了一种SIP射频模块,涉及芯片封装技术领域,该SIP射频模块包括第一基板、第一芯片组、第一导电围坝和第二基板,第一芯片组贴设在第一基板的一侧表面,并与第一基板电连接;第一导电围坝设置在第一基板的一侧表面的边缘,并围设在芯片组的周围;第二基板的一侧连接于第一导电围坝远离第一基板的一侧;其中,第一导电围坝一体电镀形成于第一基板的边缘,且第一基板通过第一导电围坝与第二基板电连接。相较于现有技术,本实用新型将导电围坝一体电镀形成于基板的边缘,提升了结构强度,并且连接处无需占用过多空间,使得整体高度相对更低,并提升了堆叠结构稳定性。
技术关键词
射频模块 围坝 基板 布线 导电 芯片封装技术 电镀 焊料 介质 微腔 电磁 堆叠结构 隔板 内腔 强度
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