一种双沟道增强型GaN功率器件

本实用新型涉及氮化镓功率器件技术领域，具体而言，涉及一种双沟道增强型GaN功率器件，包括从下至上依次设置的衬底、成核层、buffer层、下沟道层、第一势垒层、上沟道层、第二势垒层和绝缘介质层；还包括第一源漏极组、第二源漏极组、第一栅极和第二栅极。在该结构中，具有两个沟道、两个源极、两个栅极和两个漏极，该结构通过增加一个导电沟道来降低沟道导通电阻，通过两个源极分别与两个沟道形成欧姆接触来降低源极欧姆接触电阻，通过两个漏极分别与两个沟道形成欧姆接触来降低漏极欧姆接触电阻，从而在不增加芯片面积的条件下降低整个器件的导通电阻，最终降低芯片尺寸和芯片成本。此外，两个栅极的设计可以保证栅极对两个沟道的控制能力。