一种基于神经网络的集成电路耦合失效分析方法及装置

本发明具体涉及一种基于神经网络的集成电路耦合失效分析方法，包括：构建环形振荡器电路；将预设应力条件输入基于神经网络的失效分析模型，获取模型输出的阈值电压退化量预测数据；其中，所述失效分析模型用于对PMOS器件的阈值电压退化进行预测；所述应力条件数据与所述环形振荡器电路相匹配；将所述阈值电压退化量预测数据配置到环形振荡器电路中的关键晶体管的栅极，获取对应的电路频率退化数据；将所述电路频率退化数据与预设验证数据进行数据比对获取第一数据比对结果，并基于第一数据比对结果生成耦合失效分析数据。本方法通过建立针对PMOS晶体管NBTI和HCD耦合失效的分析模型，减少了数据分析的误差，并提高了应用范围。